Nuevos materiales para los dispositivos electrónicos

Los dispositivos de electrónica de óxidos como uniones túnel magnéticas, muy relevantes para el almacenamiento magnético de información, o los dispositivos de efecto campo (transistores) se implementarán gracias a los nuevos materiales artificiales que ha conseguido desarrollar un grupo de científicos de la Universidad Complutense de Madrid (UCM).

Los novedosos materiales nanoestructurados están basados en óxidos complejos para el control de las propiedades de la interfase, permitiendo diseñar nuevos comportamientos y funcionalidades. Un informe publicado en la revista científica 'Advanced Materials' explica que los científicos han producido heteroestructuras que alternan capas de titanato de estroncio, y manganita de lantano, dos materiales aislantes, que sin embargo unidos dan lugar a dos efectos hasta ahora inesperados: magnetismo y elevada conductividad eléctrica en la interfase entre ambos. La imagen directa de estas interfases ha sido obtenida por científicos del Laboratorio Nacional de Oak Ridge (Estados Unidos) utilizando un microscopio electrónico de transmisión-barrido de última generación y con resolución por debajo de 0.1 nm.

La investigación abre la puerta al control de la estructura electrónica de la interfase para obtener funcionalidades específicas. Durante el siglo XX los dispositivos electrónicos han tenido una profunda influencia sobre la calidad de vida revolucionando las comunicaciones, la computación, la manufactura, y el transporte.

Con este avance, se abre una nueva vía para los dispositivos electrónicos del futuro. Los responsables de este avance son el Grupo de Física de Materiales Complejos de la UCM, perteneciente a la Unidad Asociada Materiales y Heteroestructuras para Espintrónica con el Instituto de Ciencia de Materiales del CSIC, donde se ha realizado la caracterización magnética y de transporte.